Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré
Curriculum vitae von Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré
| 22.09.1912 | Geboren in Aachen. |
| 1934/35 | Studium der Physik, Chemie und Mathematik an der Universität Genf. |
| 1935-39 | Studium der Technischen Physik an der TH Aachen (Dipl.-Ing.). |
| 1939 | Eintritt bei Telefunken in das Mikrowellenempfangslabor in Berlin. |
| 1942-44 | Promotion an der TH Berlin (Dr.-Ing.). Umzug nach Leubus in Schlesien; dort erste Messung der Sperrschichtinteraktion in Halbleiter-Duodioden. |
| 1945 | Dozent für Mathematik, Physik und Chemie an amerikanischen Militärakademien in Wabern und Eschwege. |
| 1946 | Vorlesungsassistent am Institut für Physik und Elektrotechnik (Prof. Wilhelm Fucks und Prof. Walter Rogowski) in Aachen. Annahme des Angebots der Firma Westinghouse F&S in Paris, ein Halbleiterlabor aufzubauen, welches Mikrowellen-Dioden herstellen sollte (gemeinsam mit Heinrich Welker). |
| 1947-49 | Wiederaufnahme der Duodioden-Versuche. Neues Patent für eine Duodiode mit getrennten Kristallen zur Vermeidung der Interaktion (US-Patent: 2,552.052). Interaktion der Sperrschichten und erste Verstärker- (Steilheits-)Messungen; erstes Transistron-Patent und erste Modelle im Mai/Juni 1948. |
| 1950 | Promotion an der École Normale Superieure (ENS) in Paris (Dr.sc.phys.). Besuch von W. Shockley und W. Brattain im Labor in Paris. |
| 1950/51 | Produktion von Transistoren mit optimaler Einstellung des Verstärkungsfaktors und des Frequenzverhaltens; erste Ausnutzung von Korngrenzen und erste Photo- Transistoren. Kontakt mit J. Michael in New York (New England Industries). Planung einer deutschen Dioden-Transistor-Herstellung. Das Keramik-Modell mit optimierter Einstellung erwies sich dem Bell-Lab-Muster überlegen. |
| 1952/53 | Aufbau der Intermetall G.m.b.H. in Düsseldorf und erste Lieferung von Germanium- Dioden und Transistoren. Aufbau eines Labors für intermetallische Dioden und Silizium-Bauelemente. Ende 1953 erste Vorführung eines Transistorempfängers auf der Düsseldorfer Funkausstellung. |
| 1953/54 | Verkauf der Intermetall G.m.b.H. Vortragsreise durch die USA und Annahme eines Angebots des Departments of Defense in New Jersey. |
| 1954 | Übersiedlung nach New Jersey. Beratungspositionen bei vier verschiedenen Signal Corps Laboratorien. |
| 1955 | Annahme eines Angebots der Tung-Sol Electric Corporation in Bloomfield um dort eine Transistorproduktion aufzubauen. Erste Arbeiten zur Herstellung definierter Korngrenzen und erste Planung zur Herstellung von Czochralski-Silizium-Kristallen im Vakuum. |
| 1956-60 | Übernahme des Halbleiterlabors der Sylvania Corporation in Bayside/New Jersey. Erste Arbeiten zur Nutzung der Zyklotronresonanz in Halbleiterkristallen (mehrere Patente). |
| 1961 | Teilnahme an der TEKADE-Forschungsgruppe am Colloque International sur les dispositifs à semiconducteurs à Paris ; Präsident der Veranstaltung: Louis de Broglie. |
| 1962 | Annahme des Angebots der Bendix Corporation in Southfield/Michigan dort ein Labor für Quantenelektronik aufzubauen. Patente zum Licht-Potentiometer, zur Doppeltiegel-Czochralski-Methode und erste Versuche zur TV-Übertragung durch optische Kanäle (Lichtwellenleiter). |
| 1963-70 | Umzug nach Kalifornien und Annahme des Angebots zur Leitung des Forschungslabors der Lear-Sieler Corporation. Nach Umzug des Labors nach Michigan, Annahme des Angebots der Douglas Aircraft Corporation in Santa Monica ein Halbleiterlabor einzurichten. Science advisor bei Rockwell International in Annaheim/Kalifornien. |
| Seit 1970 | Aufbau der INTERNATIONAL SOLID STATE ELECTRONICS CONSULTANTS/ USA; Life Fellow des IEEE; Member Emeritus der NEW YORK ACADEMY OF SCIENCES. |
Prof. Dr. Dr. Herbert F. Mataré hat international mehr als 80 Patente angemeldet.
ein deutscher Erfinder des Transistors
Dr. Mataré, der Doktorgrade in Elektronik und Festkörperphysik an der TU Berlin und der ENS Paris erwarb, lebt heute im Alter von 96 Jahren in Malibu/Kalifornien. Er arbeitete zusammen mit Dr. Welker bereits 1943/44 an Halbleiterdioden in Schlesien. Unterbrochen durch das Ende des Krieges setzten die beiden ihre Arbeiten eingeladen durch die Firma Westinghouse in einem kleinen Forschungslabor in Paris fort. Dort gelang es ihnen Anfang 1948 die ersten Verstärkungseffekte eines Halbleiterverstärkers nachzuweisen. Sie dokumentierten dies auch in einem Patent vom 13. August 1948, ohne von den Parallelentwicklungen der Bell Laboratorien zu wissen. Sie bezeichneten ihre Erfindung mit dem französischen Namen transistron . Es ist unbestritten, dass Mataré und Welker neben Shockley, Bardeen and Brattain von den Bell Laboratorien als die Parallelerfinder des Transistors gelten können. Bis auf zwei Artikel in der NEW YORK TIMES und im IEEE SPECTRUM blieb dies in der Öffentlichkeit und auch in Fachkreisen weitgehend unbekannt.
Der Transistor ist ein elektronisches Bauelement, das sowohl Signale verstärken, als auch sehr effektiv ein- und ausschalten kann. Dieses Bauteil hatte einen starken Einfluss auf die Entwicklung des gesamten elektronischen Zeitalters. Zuvor wurden die Funktionen eines Transistors durch unhandliche, energieverzehrende und unzuverlässige Elektronenröhren ausgeführt. Heute sind auf einem integrierten Schaltkreischip (IC) Milliarden solcher Transistorfunktionen eingebaut.
Dr. Mataré hat später im Jahre 1952 in Deutschland die Firma Intermetall mitbegründet. Auf der Düsseldorfer Funkausstellung 1953 präsentierte diese Firma das erste Transistorradiogerät mit Kopfhörern. Dieses Intermetall-Transistorradio wurde so ein Jahr vor ähnlichen amerikanischen Geräten vorgestellt und auch zwei Jahre vor dem berühmten Sony TR1, mit dem die japanische elektronische Konsumentenindustrie ihren Siegeszug begann.
Dr. Mataré hat noch viel mehr Erfindungen auf den Gebieten der Informationstechnologie, der Halbleiterphysik und der industriellen Halbleiterfertigung gemacht, so bei Verstärkern für Radargeräte, elektro-optische Fernsehübertragung und in der Photovoltaik für Solaranlagen.
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Prof. Dr. Dr. E.h. Joachim Hagenauer,
Techn. Universität München |